Во текот на Денот на технологијата на Samsung 2021 година, компанијата претстави неколку интересни сознанија за иднината на технологиите за системска меморија и како планира да го спроведе своето производство. Почнувајќи со најновиот DDR5 стандард, компанијата има намера да ги следи документите на JEDEC и да понуди некои модули за оверклокување кои ги надминуваат спецификациите што ги советува JEDEC. Додека DDR5 стандардот наведува мемориски модули со 6.400 MT/s, Samsung ќе развие модули што можат да оверклокуваат до 8.400 MT/s. Ова сè уште не е потврдено бидејќи се уште се во фаза на развој. Сепак, можеме да очекуваме да ги видиме во подоцнежните верзии на DDR5 меморијата.

Компанијата зборуваше и за DDR6 стандардот, кој наводно е двојно побрз од DDR5. Новиот DDR6 стандард е сè уште во рана фаза на развој, а сè што знаеме засега е дека бројот на мемориски канали по модул се удвојува во споредба со DDR5 на четири канали. Покрај DDR6 за десктоп компјутери и сервери, компанијата работи и на DDR6 со мала моќност (LPDDR6) за мобилни апликации. Додека LPDDR5 меморијата на компанијата влегува во масовно производство користејќи го процесот 1a-nm на почетокот на 2022 година, LPDDR6 е сè уште во ран развој, известува TeshPowerUp. Основната брзина за DDR6 модулите наводно ќе достигне 12.800 MT/s, додека модулите за оверклокување ќе се спојуваат со брзина до 17.000 MT/s. Мобилно ориентираната верзија на LPDDR6 треба да доаѓа и со брзини до 17.000 MT / s.

Samsung ја истакна и понудата на меморија за графика, каде што во игра се GDDR и HBM. Новиот GDDR стандард што треба да пристигне е GDDR6+, кој ја зголемува брзината од 18.000 MT/s на 24.000 MT/s. Јазолот на избор за GDDR6+ ќе биде 1z nm, а корејскиот гигант сака да започне со производство на овие модули овој месец. После тоа, дадените временски рамки на компанијата покажуваат дека стандардот GDDR7 ќе го замени GDDR6+ и ќе понуди стапки од 32.000 MT/s. Со GDDR7 ќе има и нова функција наречена „функција за заштита од грешки во реално време“, која сè уште е непозната. Се претпоставува дека е некоја форма на ECC за GDDR или нешто слично. Тоа допрва треба да го видиме.

Покрај тоа, компанијата спомена и дека нејзината HBM3 меморија ќе биде подготвена за масовно производство во вториот квартал на 2022 година, со брзини од 800 GB/s. Оваа меморија главно ќе ги таргетира апликациите за вештачка интелигенција, а Samsung работи со партнерите за опремување на нови решенија со HBM3.