Samsung објави дека во нивните фабрики почнало масовното производство на првиот мемориски чип од 1 терабајт за мобилните уреди. Овој чип ќе биде заснован на технологијата Universal Flash Storage (eUFS) 2.1, која Samsung ја пушти на пазарот пред четири години. Во тоа време, чиповите имаа капацитет од 128 GB, а сега – следејќи го законот на Мур – овој капацитет достигна 1 TB.
Меморијата од 1 TB на eUFS технологијата би требало да биде клучна за донесување на искуството на користење на преносниот компјутер на следната генерација мобилни уреди, порачуваат од Samsung. На своите купувачи, Samsung освен напредните мемориски чипови со висок капацитет, ќе буди и стабилен ланец на снабдување и доволна количина чипови, за да го испрати растот на пазарот на паметни телефони во светот.
1 TB eUFS чипот доаѓа во димензии 11,5 x 13 mm, идентично како и неговиот претходник со половина помал капацитет. Во рамките на чипот се нанесени 16 слоеви од V-NAND флеш мемориските модули на Samsung. Брзината на читањето на податоци од овој чип може да досегне и 1000 мегабајти во секунда – а тоа е, велат од компанијата, двојно побрзо од просечното секвенцијално читање од SSD.